- Модель продукта RV2C010UNT2L
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:25228
Технические детали
- Тип монтажа SC-101, SOT-883
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 470mOhm @ 500mA, 4.5V
- Материал феррулы 400mW (Ta)
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение VML1006
- Длина ремня 1.2V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 20 V
- 40 pF @ 10 V