Инвентаризация:12286

Технические детали

  • Тип монтажа 6-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 620mW (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.8A (Tc)
  • Глубина 775pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 4A, 4.5V
  • Тип симистора 11nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 800mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-TDFN (2x2)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

Инвентаризация: 23728

Top