- Модель продукта G630J
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 280mOhm @ 4.5A, 10V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-251
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 11.8 nC @ 10 V
- 509 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
Инвентаризация: 75
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Инвентаризация: 50000
N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Инвентаризация: 0
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Инвентаризация: 87
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Инвентаризация: 2881
MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
Инвентаризация: 5836
