- Модель продукта 18N20F
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1575
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 9A, 10V
- Материал феррулы 110W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220F
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 17.7 nC @ 10 V
- 836 pF @ 25 V