- Модель продукта 630AT
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1587
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 250mOhm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 11.8 nC @ 10 V
- 509 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Инвентаризация: 13
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Инвентаризация: 3000
N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.
Инвентаризация: 166
MOSFET N-CH 200V 9A TO-251
Инвентаризация: 2000
