- Модель продукта AS1M025120T
- Бренд Anbon Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1515
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 50A, 20V
- Материал феррулы 370W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 15mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1200 V
- 195 nC @ 20 V
- 4200 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Инвентаризация: 1603
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Инвентаризация: 0
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Инвентаризация: 270
