Инвентаризация:10975

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.7V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 14 nC @ 4.5 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6

Инвентаризация: 105735

MOSFET 50V 0.51A SOT23-6

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO

Инвентаризация: 38456

MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 8626

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO

Инвентаризация: 12410

Top