Инвентаризация:39956

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 7.5A, 10V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 20 nC @ 5 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 75857

MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23

Инвентаризация: 230053

MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6

Инвентаризация: 7052

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

Инвентаризация: 44572

TRANS NPN 40V 1A SOT23-3

Инвентаризация: 14954

Top