Инвентаризация:4204

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.4W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.8A
  • Сопротивление при 25°C 49mOhm @ 5.9A, 10V
  • Тип симистора 24nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB

Инвентаризация: 265

MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23

Инвентаризация: 28791

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC

Инвентаризация: 19719

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212

Инвентаризация: 7959

Top