- Модель продукта 03N06L
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 1.7W (Tc)
- Барьерный тип 1.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3L
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 14.6 nC @ 30 V
- 510 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Инвентаризация: 4231
MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23
Инвентаризация: 150000
N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Инвентаризация: 6492
MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L
Инвентаризация: 300000
N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Инвентаризация: 9923
MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Инвентаризация: 297000
SILICON ZENER DIODE
Инвентаризация: 5818
MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Инвентаризация: 35736
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Инвентаризация: 3613
