- Модель продукта 06N06L
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A
- Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 960mW
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3L
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 2.4 nC @ 10 V
- 765 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Инвентаризация: 6492
MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L
Инвентаризация: 300000
N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Инвентаризация: 2286
MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Инвентаризация: 50000
N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Инвентаризация: 1203
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
Инвентаризация: 20000
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Инвентаризация: 7183
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Инвентаризация: 13432
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Инвентаризация: 41777
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Инвентаризация: 2145
