- Модель продукта 18N10
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 53mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 62.5W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252 (DPAK)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 28 nC @ 10 V
- 1318 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Инвентаризация: 9923
MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Инвентаризация: 297000
N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Инвентаризация: 2286
MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Инвентаризация: 50000
N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Инвентаризация: 1203
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
Инвентаризация: 20000
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A ABS
Инвентаризация: 17389
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A ABS
Инвентаризация: 505000
