- Модель продукта FDB12N50TM
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1501
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 650mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 165W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 500 V
- 30 nC @ 10 V
- 1315 pF @ 25 V