- Модель продукта FDB1D7N10CL7
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6800
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 268A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.65mOhm @ 100A, 15V
- Материал феррулы 250W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 700µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Длина ремня 6V, 15V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 163 nC @ 10 V
- 11600 pF @ 50 V