Инвентаризация:4155

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 178A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.2mOhm @ 88A, 10V
  • Материал феррулы 3.9W (Ta), 267W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 450µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-TDFNW (8.3x8.4)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 159 nC @ 10 V
  • 10450 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 13547

MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 12095

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

Инвентаризация: 2953

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

Инвентаризация: 1753

MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW

Инвентаризация: 284

PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK

Инвентаризация: 1510

Top