Инвентаризация:1784

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 45A (Ta), 236A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2mOhm @ 90A, 10V
  • Материал феррулы 9W (Ta), 255W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 520µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-TDFNW (8.3x8.4)
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 89 nC @ 10 V
  • 6305 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 10022

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

Инвентаризация: 1753

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

Инвентаризация: 2950

MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW

Инвентаризация: 5112

PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL

Инвентаризация: 3000

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

Инвентаризация: 4058

Top