- Модель продукта SIDR5802EP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5558
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 34.2A (Ta), 153A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.9mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 7.5W (Ta), 150W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 60 nC @ 10 V
- 3020 pF @ 40 V