Инвентаризация:6348

Технические детали

  • Тип монтажа 10-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 12V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 33A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 2.75mOhm @ 5A, 4.5V
  • Тип симистора 42nC @ 3.8V
  • Барьерный тип 1.3V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 10-WLCSP (2.98x1.49)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 12V 25A X4-DSN3015

Инвентаризация: 4995

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

Инвентаризация: 10087

MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP

Инвентаризация: 3099

MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8

Инвентаризация: 17087

Top