Инвентаризация:11587

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UFDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14.5A
  • Глубина 1418pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Тип симистора 42.3nC @ 10V
  • Барьерный тип 1.5V @ 250A
  • Максимальное переменное напряжение U-DFN2030-6 (Type B)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 26024

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26

Инвентаризация: 39345

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Инвентаризация: 5988

Top