Инвентаризация:39062

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.8A (Ta), 35A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 15.5mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 2W (Ta), 30W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 15 nC @ 4.5 V
  • 1730 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 2939

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 257838

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 1986

MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Инвентаризация: 75352

MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333

Инвентаризация: 68100

MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333

Инвентаризация: 67056

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 8118

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

Инвентаризация: 21033

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Инвентаризация: 172969

Top