Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.6A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 900mW (Ta)
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 47 nC @ 10 V
  • 2230 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 3238

MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333

Инвентаризация: 2818

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 37562

Top