Инвентаризация:11270

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Ta), 101A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 100W (Tc)
  • Барьерный тип 3.8V @ 49µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TTFN-9-1
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 43.2 nC @ 10 V
  • 2900 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

Инвентаризация: 16165

GANFET N-CH 30V 60A DIE

Инвентаризация: 5637

TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9

Инвентаризация: 4960

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

TRENCH >=100V PG-TSON-8

Инвентаризация: 3353

Top