Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Ta), 99A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 100W (Tc)
  • Барьерный тип 3.8V @ 49µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-WHSON-8-1
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 44 nC @ 10 V
  • 2900 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Инвентаризация: 5844

OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

Инвентаризация: 5955

OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

Инвентаризация: 4535

OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

Инвентаризация: 5980

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

Top