- Модель продукта IQE065N10NM5SCATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 85A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 100W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 48µA
- Максимальное переменное напряжение PG-WHSON-8-1
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 43 nC @ 10 V
- 3000 pF @ 50 V