Инвентаризация:2063

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.9A (Ta), 62A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 53A, 10V
  • Материал феррулы 3.8W (Ta), 300W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 5.55mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 236 nC @ 10 V
  • 11000 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 26A DPAK

Инвентаризация: 23549

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3

Инвентаризация: 3604

TRENCH >=100V PG-TO263-3

Инвентаризация: 949

TRENCH >=100V PG-TO263-3

Инвентаризация: 56

TRANS NPN 50V 0.8A UB

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 80V 110A TO263

Инвентаризация: 46955

MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Инвентаризация: 0

Top