Инвентаризация:3720

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 364mOhm @ 4A, 18V
  • Материал феррулы 108W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 1.4mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -6V
  • 1200 V
  • 36 nC @ 18 V
  • 667 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N

Инвентаризация: 992

1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 374

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 450

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 130

650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 445

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 443

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 0

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 1014

Top