- Модель продукта 2301H
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 75mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 890mW (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 12 nC @ 2.5 V
- 405 pF @ 10 V
Сопутствующие товары
RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT
Инвентаризация: 0
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Инвентаризация: 11060
Magnehelic Gage Range .50-0-.50I
Инвентаризация: 1
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 5104
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Инвентаризация: 3069
MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT-23
Инвентаризация: 117000
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V,
Инвентаризация: 3449
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Инвентаризация: 26961