- Модель продукта G3035
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4569
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 59mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 1.4W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 13 nC @ 10 V
- 650 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Инвентаризация: 2816
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
Инвентаризация: 15000
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 5104
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Инвентаризация: 26961
