Технические детали

• Тип монтажа 8-SMD, Flat Lead
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.1W
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4A, 3.1A
• Глубина 510pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
• Тип симистора 7.9nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 1.2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение ChipFET™