Инвентаризация:4786

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 18A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
  • Барьерный тип 4.5V @ 100µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 8V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 17 nC @ 10 V
  • 1315 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Инвентаризация: 3022

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

Инвентаризация: 9387

MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN

Инвентаризация: 8242

MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN

Инвентаризация: 2585

Top