Инвентаризация:5672

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 46W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 42A (Ta)
  • Глубина 1160pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 13.6mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 19.4nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение LFPAK56D
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN

Инвентаризация: 5069

MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D

Инвентаризация: 5235

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 9643

MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

Инвентаризация: 5970

Top