- Модель продукта EPC2219
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 500mA (Ta)
- Сопротивление при 25°C 3.3Ohm @ 59mA, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- 65 V
- 0.064 nC @ 5 V
- 10 pF @ 32.5 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 52011
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Инвентаризация: 40896
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Инвентаризация: 82458
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
DIODE ZENER 5.1V 250MW 2DFN
Инвентаризация: 359428
MOSFET N-CH 20V 4WLCSP
Инвентаризация: 47170
