Инвентаризация:12390

Технические детали

  • Тип монтажа 12-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N and 2 P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.6W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta), 7A (Ta)
  • Глубина 395pF @ 15V, 730pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 15nC @ 10V, 24nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 12-DFN-EP (4x3)

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Инвентаризация: 177478

MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 75349

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 39597

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

Инвентаризация: 10701

MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN

Инвентаризация: 4901

MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO

Инвентаризация: 115838

Top