Инвентаризация:3785

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.2W (Ta), 34W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 80V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.4A (Ta), 31A (Tc)
  • Глубина 900pF @ 40V
  • Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 17nC @ 10V
  • Барьерный тип 2V @ 21µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 6697

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Инвентаризация: 252

MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN

Инвентаризация: 1300

MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN

Инвентаризация: 2930

MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN

Инвентаризация: 0

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC

Инвентаризация: 2053

Top