Инвентаризация:70142

Технические детали

  • Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 150°C
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A
  • Сопротивление при 25°C 75mOhm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 1W (Ta), 15W (Tc)
  • Барьерный тип 2.6V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TP
  • Длина ремня 4V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 11 nC @ 10 V
  • 510 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


P-CHANNEL SILICON MOSFET

Инвентаризация: 68642

2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

Инвентаризация: 8400

MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A

Инвентаризация: 3529

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK/TP

Инвентаризация: 0

-60 V, -12 A, 62 MILLI OHM SINGL

Инвентаризация: 20239

Top