Инвентаризация:21739

Технические детали

  • Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 62mOhm @ 6A, 10V
  • Материал феррулы 15W (Tc)
  • Барьерный тип 2.6V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение IPAK/TP
  • Длина ремня 4V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 26 nC @ 10 V
  • 1150 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


P-CHANNEL SILICON MOSFET

Инвентаризация: 68642

2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

Инвентаризация: 8400

MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A

Инвентаризация: 3529

P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 23A TO-251

Инвентаризация: 3000

MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB

Инвентаризация: 4604

MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB

Инвентаризация: 5498

MOSFET P-CH 55V 31A IPAK

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA

Инвентаризация: 3054

P-CHANNEL POWER MOSFET

Инвентаризация: 4477

Top