Инвентаризация:56110

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.7W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Ta)
  • Глубина 720pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 23nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Инвентаризация: 13489

MOSFET P-CH 40V 40A TO252

Инвентаризация: 22933

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

Инвентаризация: 8353

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Инвентаризация: 145945

MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC

Инвентаризация: 16178

Top