Инвентаризация:14989

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A
  • Глубина 520pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 46mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 11nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L

Инвентаризация: 773837

30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3

Инвентаризация: 83

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Инвентаризация: 0

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

Инвентаризация: 122831

MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC

Инвентаризация: 64175

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO

Инвентаризация: 14131

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3494

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP

Инвентаризация: 2699

Top