Инвентаризация:15354

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 65W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
  • Глубина 3990pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 7.2mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 52nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 30µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4

Сопутствующие товары


MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON

Инвентаризация: 13569

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 4480

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 2536

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 11521

MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON

Инвентаризация: 89244

MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN

Инвентаризация: 35647

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8

Инвентаризация: 52651

Top