Инвентаризация:13021

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 65W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
  • Глубина 4020pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 11.2mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 55nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 28µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN

Инвентаризация: 1500

Top