Инвентаризация:3000

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3W (Ta), 37W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta), 42A (Tc)
  • Глубина 640pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 14.4mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 4.7nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.2V @ 25µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 11521

MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN

Инвентаризация: 1354

Top