Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerLDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 13W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 25V
• Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Ta)
• Глубина 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
• Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
• Тип симистора 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-LSON (5x6)