Инвентаризация:9002

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 13W
  • Внутренняя отделка контактов 25V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 40A
  • Глубина 1870pF @ 12.5V
  • Сопротивление при 25°C 6mOhm @ 20A, 8V
  • Тип симистора 10.7nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-LSON (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON

Инвентаризация: 250

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON

Инвентаризация: 5471

Top