Инвентаризация:7328

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 0.59mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3.2W (Ta), 195W (Tc)
  • Барьерный тип 1.9V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-VSON-CLIP (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 25 V
  • 250 nC @ 10 V
  • 14000 pF @ 12 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Инвентаризация: 25968

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

Инвентаризация: 13756

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16UQFN

Инвентаризация: 9288

Top