Инвентаризация:1915

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 131A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 400W (Tc)
  • Барьерный тип 2.4V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 700 V
  • 215 nC @ 20 V
  • 4500 pF @ 700 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 27V 3W DO214AC

Инвентаризация: 14159

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Инвентаризация: 143

SICFET N-CH 700V 126A D3PAK

Инвентаризация: 0

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

Top