- Модель продукта TP65H070LDG
- Бренд Transphorm
- RoHS 0
- Описание GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 3-PowerDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 96W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 700µA
- Пакет устройств поставщика 3-PQFN (8x8)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Инвентаризация: 49640
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Инвентаризация: 540
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 193
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Инвентаризация: 43
650 V 25 A GAN FET
Инвентаризация: 1630
GAN FET N-CH 650V PQFN
Инвентаризация: 2834
650 V 13 A GAN FET
Инвентаризация: 5887
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Инвентаризация: 6507
