Инвентаризация:23282

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26.5A (Ta), 34A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.8mOhm @ 20A, 4.5V
  • Материал феррулы 5W (Ta), 43W (Tc)
  • Барьерный тип 1.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 88 nC @ 4.5 V
  • 6560 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3

Инвентаризация: 1244826

MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN

Инвентаризация: 87237

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 257838

MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8

Инвентаризация: 0

Top