- Модель продукта SISH101DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:20044
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SH
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 16.9A (Ta), 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.2mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 3.7W (Ta), 52W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SH
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±25V
- 30 V
- 102 nC @ 10 V
- 3595 pF @ 15 V