Инвентаризация:8877

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 23A (Ta), 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 214W (Tc)
  • Барьерный тип 3.8V @ 146µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSON-8-3
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 111 nC @ 10 V
  • 8200 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 16839

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 45476

MOSFET N-CH 150V 87A TDSON

Инвентаризация: 5529

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Инвентаризация: 8402

MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3

Инвентаризация: 3604

TRENCH >=100V PG-TSON-8

Инвентаризация: 3353

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 10022

MV8 P INITIAL PROGRAM

Инвентаризация: 2687

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 7949

Top