- Модель продукта NVMFS3D0P04M8LT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MV8 P INITIAL PROGRAM
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4187
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Ta), 183A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.7mOhm @ 30A,10V
- Материал феррулы 3.9W (Ta), 171W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 124 nC @ 10 V
- 5827 pF @ 20 V
- AEC-Q101